晶片表面有油污,很難以檢測到,即便用KLA也難以判斷,這主要是有檢測原理決定的。有污染的晶片若被應(yīng)用的外延,就會嚴重影響到LED的品質(zhì),使成品率下降。所以,如果要排除污染,就必須有一個專業(yè)的設(shè)備進行探測與判斷。
平整度是晶片很重要的參數(shù),直接決定了片子合格與否,檢測平整度的方法很多,但目前看來國際還是依托于SEMI標準。參數(shù)的定義,檢測的精度都是需要認真考慮的。
腐蝕工藝直接決定了檢測位錯的結(jié)果,關(guān)鍵的一點可能會讓您少走很多的彎路,敬請關(guān)注。
光學(xué)晶體等級一般分六級,如何進行評估,怎么評估?這不光需要專業(yè)的檢測設(shè)備,還有就是一線檢測經(jīng)驗。
碳化硅工藝流程及檢測方案
工藝流程及涉及的檢測設(shè)備