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拉單晶專用鎵摻雜劑

拉單晶專用 - 鎵摻雜劑

鎵摻雜是目前太陽(yáng)能拉單晶生產(chǎn)的最新工藝
拉晶摻鎵硅片大幅度降低光致衰減,同時(shí)可以提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率
即使摻鎵單晶電阻率低達(dá)0.3 Ω*cm部分硅棒切割的硅片做成的電池仍然具有良好的品質(zhì)。
鎵摻雜成本低,簡(jiǎn)便可行,每50Kg投料僅需1~2g鎵摻雜劑



拉單晶專用鎵摻雜劑



什么是拉單晶專用鎵摻雜劑?

鎵為IIIA族元素,原子量為69.72,英文名稱為Gallium,簡(jiǎn)稱Ga。鎵質(zhì)軟,淡藍(lán)色光澤。熔點(diǎn)29.78℃。沸點(diǎn)2403℃。具有無(wú)毒、不揮發(fā)、不燃、不爆炸等特性。是硅半導(dǎo)體摻雜的重要元素。



為什么用拉單晶專用 - 鎵摻雜劑

鎵摻雜是目前太陽(yáng)能拉單晶生產(chǎn)的最新工藝
拉晶摻鎵硅片大幅度降低光致衰減,同時(shí)可以提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率
即使摻鎵單晶電阻率低達(dá)0.3 Ω*cm部分硅棒切割的硅片做成的電池仍然具有良好的品質(zhì)。
鎵摻雜成本低,簡(jiǎn)便可行,每50Kg投料僅需1~2g鎵摻雜劑
用鎵摻雜拉出單晶棒縱向電阻率變化不是很大,硅片上徑向電阻率變化≤20%,由于鎵的分凝系數(shù)較小,只有0.008,尾部電阻率偏低一些,但這部分切的硅片并不是很多。可想而知,在當(dāng)前通用工藝條件下,拉晶摻鎵硅片既可以享受由低電阻率條件制作較高效太陽(yáng)能電池之利,又全無(wú)光致衰減帶來(lái)的光電轉(zhuǎn)換效率降低的煩惱,是一種非常理想的全新選擇。



鎵摻雜劑的計(jì)算公式

X為摻入高純鎵的質(zhì)量
M——鎵的原子量
NA——阿伏加德羅常數(shù)
W——投爐硅的質(zhì)量
D——硅的密度
C——熔硅中的Ga濃度即CL0度
鎵摻雜劑計(jì)算公式



我們的產(chǎn)品 - 拉單晶專用鎵摻雜劑

我司提供進(jìn)口拉單晶專用鎵摻雜劑,包括以下品種:
7N拉單晶專用鎵摻雜劑
8N拉單晶專用鎵摻雜劑
其它鎵摻雜劑,歡迎來(lái)電咨詢



典型用戶

江蘇,浙江,廣東,北京,湖南,內(nèi)蒙古,河南等地的 CZ 拉晶及鑄錠客戶。


 

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